具有分立栅极的FinFET及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有分立栅极的FinFET以及一种制造所述FinFET的方法。第一栅电极与第二栅电极之间的介电栅极分离层在从第一栅极层指向第二栅极层的方向上具有比鳍在鳍的相反横向面之间的横向延伸长度小的延伸长度。该结构与工艺方法相对应，所述工艺方法从覆盖有连续第一栅极层的基本FinFET结构开始，进行至通过至栅极层的接触开口来去除第一栅极层和第一栅极隔离层的一部分。随后，制造同时形成栅极分离层的替代栅极隔离层，然后利用替换栅极层和金属填充物来填充通道。

主权项

一种制造具有分立栅极(343，310；343，344)的FinFET(300)的方法，包括：‑为衬底(302)提供晶体管结构，所述晶体管结构具有：‑鳍形沟道区(304)，称作鳍，立于衬底表面上；‑栅极堆叠，包括在彼此相反的横向鳍面(312，314)上以及在顶部鳍面(316)上的连续第一栅极隔离层(308)以及在栅极隔离层上的连续第一栅极层(310)，第一栅极层延续到第一接触部分(310.2)中，所述第一接触部分(310.2)在鳍的第一横向侧在衬底上远离鳍横向延伸；以及‑覆盖层(330)，覆盖栅极堆叠；‑制造延伸通过覆盖层到达第一栅极层的接触部分的第一接触开口(332)；‑通过第一接触开口，至少相对于覆盖层和衬底选择性地去除在接触部分(310.2)中以及至少在鳍的相邻横向面(312)上的第一栅极层，在到达相反横向鳍面(314)的开始位置之前停止去除，从而形成具有端壁的第一通道(334)，所述端壁是由第一栅极层(310)的其余部分的端面(336)形成的；‑在通道壁上沉积第二栅极隔离层(338)，从而还在第一通道的端壁上形成栅极分离层(340)并覆盖第一栅极层的其余部分的端面(336)；以及‑通过利用导电材料(342)填充第一通道(334)的其余容积来制造第一栅极(343)。