| 发明名称 | 基于超结技术制备的高压功率场效应管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种基于超结技术制备的高压功率场效应管，具有一个下背面淀积设置了漏极背金属层的高掺杂的N+衬底层，在N+衬底层上外延生长有一层N-外延层，在N-外延层内设有至少两个上部注入N+区和P+区的P-阱，在带P-阱的N-外延层之除P+区外的表面上热生长设置有栅氧层，在栅氧层表面自上而下依次淀积设置有多晶硅层和TEOS绝缘介质层，在多晶硅层和TEOS绝缘介质层外侧淀积回刻有栅极侧墙，在TEOS绝缘介质层上及N-外延层的P+区表面上淀积设置有金属化铝层。本实用新型具有结构合理、制作工艺简单、成本低等优点，器件产品的击穿电压均匀，可大幅度减少导通电阻和栅极电荷，有效提高了成品率和参数指标。 | ||
| 申请公布号 | CN201699016U | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201020232086.8 | 申请日期 | 2010.06.21 |
| 申请人 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 | 发明人 | 陈仕全 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人 | 李中群 |
| 主权项 | 一种基于超结技术制备的高压功率场效应管，其特征在于具有一个下背面淀积设置了漏极背金属层(1)的高掺杂的N+衬底层(2)，在N+衬底层(2)上外延生长有一层N 外延层(3)，在N 外延层(3)内设有至少两个上部注入N+区(11)和P+区(10)的P 阱(4)，在带P 阱(4)的N 外延层(3)之除P+区(10)外的表面上热生长设置有栅氧层(9)，在栅氧层(9)表面自上而下依次淀积设置有多晶硅层(7)和TEOS绝缘介质层(6)，在多晶硅层(7)和TEOS绝缘介质层(6)外侧淀积回刻有栅极侧墙(8)，在TEOS绝缘介质层(6)上及N 外延层(3)的P+区(10)表面上淀积设置有金属化铝层(5)。 | ||
| 地址 | 710018 陕西省西安市经济技术开发区凤城12路1号出口加工区 | ||