| 发明名称 | 存储器以及制造存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器以及制造存储器的方法。该制造存储器的方法包括：存储器多晶硅刻蚀步骤，用于形成刻蚀后的存储器多晶硅层；栅极多晶硅刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的存储器多晶硅层上形成刻蚀后的栅极多晶硅层；以及字线刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的栅极多晶硅层上刻蚀字线，并去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留；其中，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，刻蚀后的栅极多晶硅层在刻蚀后的栅极多晶硅层平面的三个方向上覆盖刻蚀后的存储器多晶硅层。根据本发明的制造存储器的方法，不仅能够在制造存储器的同时制造出PPS电容器，并且能够避免由于消除栅极多晶硅残留而产生硅衬底凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101937878A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010241550.4 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李冰寒;邵华;孔蔚然;江红;曹立 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种制造存储器的方法，包括：存储器多晶硅刻蚀步骤，用于形成刻蚀后的存储器多晶硅层；栅极多晶硅刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的存储器多晶硅层上形成刻蚀后的栅极多晶硅层；以及字线刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的栅极多晶硅层上刻蚀字线，并去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留；其特征在于，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，刻蚀后的栅极多晶硅层在刻蚀后的栅极多晶硅层平面的三个方向上覆盖刻蚀后的存储器多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||