| 发明名称 | 制造硅太阳能电池的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造硅太阳能电池的方法，所述方法包括：提供载体板(100)；将第一接触图形施加到所述载体板(100)，所述第一接触图形包含一组第一层状接触(104)；将多个硅片(108)施加到所述第一接触图形，其中该组第一层状接触(104)中的每一个第一层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触；以及将第二接触图形施加到所述多个硅片(108)，其中所述第二接触图形包含一组第二层状接触(200)，其中该组第二层状接触(200)中的每一个第二层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101939850A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200980104281.2 | 申请日期 | 2009.01.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | R·K·克劳斯;G·普非伊费尔;H-J·埃克尔曼;T·穆格 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种制造硅太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：提供载体板(100)；将第一接触图形施加到所述载体板(100)，所述第一接触图形包含一组第一层状接触(104)；将多个硅片(108)施加到所述第一接触图形，其中该组第一层状接触(104)中的每一个第一层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触；以及将第二接触图形施加到所述多个硅片(108)，其中所述第二接触图形包含一组第二层状接触(200)，其中该组第二层状接触(200)中的每一个第二层状接触为与最多两个硅片(108)空间层状接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||