一种高分辨率的半导体核辐射探测器

摘要

一种高分辨率的半导体核辐射探测器，包括高纯的N型半导体硅片、探测本征区、点状N型阳极、P型漂移电极和第一级场效应管，半导体硅片(即基片)为圆形，探测本征区由均匀的位于所述高纯N型半导体硅片的射线入射面的P-N结组成，点状的N型阳极位于相对面的对应于所述本征区外的区域，并被以该N型阳极为焦点的P型漂移电极环绕，P型漂移电极为若干以所述N型阳极为焦点的凸圆状环形条，第一级场效应管内置于所述N型阳极中。该探测器在目前硅漂移探测器SDD的基础上，采用了新型的P型漂移电极平面结构，进行关键性改进，保持SDD分辨率高，适用计数率范围大，体积小重量轻的特色，而SDD原有的一些缺点则被大有改善。

主权项

一种高分辨率的半导体核辐射探测器，包括高纯N型半导体硅片、入射X射线探测本征区、点状N型阳极、凸圆环形P型漂移电极和第一级场效应管，其特征在于：所述高纯N型半导体硅片为圆形，所述入射X射线探测本征区由圆形的均匀的位于所述高纯N型半导体硅片的射线入射面的P‑N结组成，所述点状N型阳极位于入射面背面的对应于所述入射X射线探测本征区外的区域，并被以所述点状N型阳极为焦点的若干凸圆环形P型漂移电极环绕，所述第一级场效应管内置于所述点状N型阳极中；所述凸圆环形P型漂移电极的凸圆环形由一大圆的大部分圆弧和与其相连的小凸圆弧闭合组成，所述入射X射线探测本征区的背面区域为凸圆环形P型漂移电极的最大圆圆弧包围所在区域。