| 发明名称 | 半导体激光器装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光器装置，该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有：将光射出的前端面；在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部；在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A)；与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B)；在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且，光波导路在平坦区域(20C)形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101939883A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200980104197.0 | 申请日期 | 2009.10.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川口真生 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种半导体激光器装置，具有在基板上所形成的且包含活性层的半导体层层叠体，其中，所述半导体层层叠体具备：将光射出的前端面；在与所述前端面交叉的方向上所形成的条状的光波导路；在与所述前端面交叉的方向上延伸的第一区域；与所述第一区域上表面的高度不同的第二区域；在所述第一区域和所述第二区域之间所形成的、且与所述第二区域相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域，将所述光波导路在所述平坦区域形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||