发明名称 氧化锆质烧结体及其制造方法
摘要 本发明提供一种具有优异的机械特性、同时具有可以以适度的速度释放静电的半导电性的氧化锆质烧结体及可以比以往更廉价地制造这样的氧化锆质烧结体的制造方法。所述氧化锆质烧结体由包含稳定剂的氧化锆66~90质量份和铁、铬及钛的氧化物合计10~34质量份组成;铁、铬及钛的氧化物中铁的氧化物的比率为70~99.5质量%,铬的氧化物的比率为0.4~20质量%,钛的氧化物的比率为0.1~10质量%;氧化锆结晶相中的正方晶及立方晶的比率合计为90%以上,同时,氧化锆的平均结晶粒径为0.3~0.5μm,铁、铬及钛的氧化物的平均结晶粒径为0.5~2.0μm。其在具有优异的机械特性的同时,具有半导电性。
申请公布号 CN101939272A 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN200980104214.0 申请日期 2009.02.06
申请人 京瓷株式会社 发明人 三垣俊二;四方邦英
分类号 C04B35/48(2006.01)I;C04B35/49(2006.01)I 主分类号 C04B35/48(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 朱丹
主权项 一种氧化锆质烧结体,其特征在于,由66~90质量份的包含稳定剂的氧化锆以及合计10~34质量份的铁、铬及钛的氧化物组成,铁、铬及钛的氧化物中铁的氧化物的比率为70~99.5质量%,铬的氧化物的比率为0.4~20质量%,钛的氧化物的比率为0.1~10质量%,氧化锆结晶相中的正方晶及立方晶的比率合计为90%以上,同时,氧化锆的平均结晶粒径为0.3~0.5μm,铁、铬及钛的氧化物的平均结晶粒径为0.5~2.0μm。
地址 日本京都府