| 发明名称 | 对非易失性存储器器件进行编程的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种对非易失性存储器器件进行编程的方法。该方法包括：初始数据设定步骤，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于禁止编程的数据；第一编程和验证步骤，执行编程和验证操作；第一数据设定步骤，当编程脉冲被提供了超过N次(其中N是自然数)时，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；以及第二编程和验证步骤，执行编程和验证操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101937707A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010216299.6 | 申请日期 | 2010.06.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 哲;朴成济 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种对非易失性存储器器件进行编程的方法，其中，所述非易失性存储器器件具有存储器单元并且每个存储器单元具有第一和第二阈值电压分布中的一个，所述方法包括：初始数据设定步骤，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于禁止编程的数据；第一编程和验证步骤，执行编程和验证操作；第一数据设定步骤，在N是自然数的情况下，当编程脉冲被提供了超过N次时，向将被编程为具有第二阈值电压分布的存储器单元所耦合的页缓冲器的第一锁存器输入用于执行编程操作的数据；以及第二编程和验证步骤，执行编程和验证操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||