半导体晶片的清洗方法以及清洗装置

摘要

本发明的课题在于提供一致即使在室温左右下也有效果、并且对环境友好、使用臭氧的半导体晶片的清洗方法以及清洗装置。作为其解决手段的本发明的半导体晶片的清洗方法的特征在于：使包含含有臭氧的微小气泡的水与半导体晶片的表面接触来进行，所述含有臭氧的微小气泡如下：在电导率为1μS/cm以下的纯水中或通过向所述纯水中添加酸而使pH最大降低到1的水溶液中生成的、粒径为50μm以下、在激光遮断式的液体中在利用粒子计数器进行的测定中在10～15μm具有粒径峰、在该峰的区域中的个数为1000个/mL以上。本发明的半导体晶片清洗装置的特征在于，至少具有用于制造所述的包含含有臭氧的微小气泡的水的装置、用于使制造的包含含有臭氧的微小气泡的水与半导体晶片的表面接触的装置。

主权项

一种半导体晶片清洗方法，其特征在于，使包含含有臭氧的微小气泡的水与半导体晶片的表面接触来进行，所述含有臭氧的微小气泡如下：在电导率为1μS/cm以下的纯水中或通过向所述纯水中添加酸而使pH最大降低到1的水溶液中生成的、粒径为50μm以下、在激光遮断式的液体中在利用粒子计数器进行的测定中在10～15μm具有粒径峰、在该峰的区域中的个数为1000个/mL以上。