发明名称 |
超高真空离子源晶片清洗系统 |
摘要 |
本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统,包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆,两真空室由隔离阀门相连接,进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗,离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源,磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室,并且装有具有贴合功能的可移动的基片台,磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室,离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下,通过低能氢离子源对晶片的清洗,在常温或略微加温下进行晶片冷焊接,使多片键合成晶体块,获得低损耗的倍频晶体。 |
申请公布号 |
CN101935883A |
申请公布日期 |
2011.01.05 |
申请号 |
CN201010279377.7 |
申请日期 |
2010.09.10 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
李强;冯驰;雷訇;姜孟华;惠勇凌 |
分类号 |
C30B33/06(2006.01)I;C30B33/12(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
沈波 |
主权项 |
超高真空离子源晶片清洗系统,其特征在于,包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆(12),两真空室由隔离阀门(10)相连接,进样真空室上设有进样阀门(1)、机械泵(2)、分子泵(3)和观察玻璃窗(4),离子束真空室上设有观察玻璃窗(15)、涡旋干泵(6)、分子泵(7)、离子泵(8)、升华泵(9)、红外烘烤灯(11)和氢离子源(13),磁力传送杆(12)通过隔离阀门(10)贯穿进样真空室和离子束真空室,并且磁力传送杆(12)上装有能够在磁力传送杆(12)上移动且具有贴合功能的基片台(5),磁力传送杆可将基片台(5)从进样真空室传送至离子束真空室,离子源(13)可垂直对基片台(5)上的晶片进行清洗。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |