在半导体/电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管

摘要

提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。

主权项

一种场效应晶体管，包括：有源层，和栅绝缘膜，其中，所述有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，所述非晶氧化物层包含含有In、Zn和Ga的氧化物，其中，所述晶体区域以点状态存在，并且，所述晶体区域距作为所述非晶氧化物层和所述栅绝缘膜之间的界面的第一界面的距离在所述有源层的厚度的1/2之内并距所述第一界面在300nm之内，或者与所述第一界面接触。