高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开的一种高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法，提供一蓝宝石衬底；在衬底上依次生长N-GaN层、发光层和P-GaN层；通过光罩刻蚀作业，将P-GaN层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；在P-GaN层和暴露的N-GaN层上镀透明导电层，用作欧姆接触；通过湿法蚀刻方法，去除部分透明导电层，使P-GaN层和暴露的N-GaN层上的透明导电层分离；通过光罩刻蚀作业，分别在分离后的透明导电层上制作P电极和N电极；经衬底研磨减薄，切割成多个发光二极管芯片。采用本发明制作的LED芯片，避免了传统芯片中大面积N电极金属的遮光和吸收光现象，从而提高芯片的发光亮度。

主权项

高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法，其工艺步骤如下：1)    提供一衬底；2)    在衬底上依次生长N‑GaN层、发光层和P‑GaN层；3)    通过光罩刻蚀作业，将P‑GaN层所在的部分台面蚀刻至暴露出N‑GaN层；4)    在P‑GaN层和暴露的N‑GaN层上镀透明导电层，用作欧姆接触；5)    通过湿法蚀刻方法，去除部分透明导电层，使P‑GaN层和暴露的N‑GaN层上的透明导电层分离；6)    通过光罩刻蚀作业，分别在分离后的透明导电层上制作P电极和N电极；7)    衬底经研磨减薄，切割成若干个发光二极管芯片。