半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

主权项

一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：用离子照射单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底中形成损伤区域；在所述单晶半导体衬底上形成缓冲层；蚀刻所述缓冲层的一部分、所述损伤区域的一部分以及所述单晶半导体衬底的一部分，以在所述单晶半导体衬底上形成槽；将支撑衬底与所述单晶半导体衬底隔着所述缓冲层而彼此接触地配置，以将所述单晶半导体衬底固定于所述支撑衬底；在所述损伤区域处从所述支撑衬底分离所述单晶半导体衬底，以在所述支撑衬底上形成多个单晶半导体层；用激光束照射所述多个单晶半导体层，以使所述多个单晶半导体层的每一层部分地熔化且再结晶化；以及在400℃以上且所述多个再结晶了的单晶半导体层不熔化的温度下加热再结晶了的所述多个单晶半导体层。