以干微影或浸润式微影工艺来防止45-纳米特征结构尺寸中光阻材料的崩塌和毒化

摘要

在此揭示用来制造具有范围在90纳米以下的特征结构尺寸的半导体组件的方法及结构。在本发明的一实施方式中，揭示一种用来处理基板的方法，包括沉积一抗反射涂层到一基板的一表面上，沉积一促黏层到该抗反射涂层上；及沉积一光阻材料到该促黏层上。在本发明的另一实施方式中，揭示一种半导体基板结构，包括一介电性基板；一非晶型碳层，其沉积在该介电层上；一抗反射涂层，其沉积在该非晶型碳层上；一促黏层，其沉积在该抗反射涂层上；及一光阻材料，其沉积在该促黏层上。

主权项

一种处理一基板的方法，包含：沉积一抗反射涂层到该基板的一表面上；沉积一有机促黏层到该抗反射涂层上；及沉积一光阻材料到该有机促黏层上。