| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101937932A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN201010219834.3 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 中岛都;宫入秀和;伊佐敏行;加藤绘里香;一条充弘;栗城和贵;横井智和 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖;胡烨 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的包含微晶半导体层的半导体层；以及与所述半导体层接触的源区及漏区，其中，所述栅极绝缘层与所述微晶半导体层的界面的氮浓度为5×1019atoms/cm3以上且1×1022atoms/cm3以下，并且，所述微晶半导体层中的氮浓度具有极小值，该极小值为3×1019atoms/cm3以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||