| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括多个化合物半导体层的发光结构，在发光结构外部的钝化层，在发光结构上的第一电极层，和在发光结构下的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101939860A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200980104751.5 | 申请日期 | 2009.10.16 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
| 分类号 | H01L33/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：包括多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构外部的钝化层；在所述发光结构上的第一电极层；和在所述发光结构下的第二电极层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||