发明名称 |
热发射电子源的制备方法 |
摘要 |
一种热发射电子源的制备方法,其包括以下步骤:制备一碳纳米管薄膜;提供一含有低逸出功材料或低逸出功材料前驱物的溶液,采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜;采用机械方法处理浸润后的碳纳米管薄膜形成一碳纳米管绞线;烘干该碳纳米管绞线;激活烘干后的碳纳米管绞线,得到热发射电子源。 |
申请公布号 |
CN101556888B |
申请公布日期 |
2011.01.05 |
申请号 |
CN200810066570.5 |
申请日期 |
2008.04.11 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
肖林;刘亮;刘长洪;范守善 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01)I;H01J9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种热发射电子源的制备方法,包括以下步骤:制备一碳纳米管薄膜,该碳纳米管膜的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列;采用刀片或其他工具将上述碳纳米管阵列从基底刮落,获得一碳纳米管原料;将上述碳纳米管原料添加到一溶剂中并进行絮化处理获得一碳纳米管絮状结构,将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离,并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得一碳纳米管薄膜;提供一含有低逸出功材料或者低逸出功材料前驱物的溶液,采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜;采用机械方法处理浸润后的碳纳米管薄膜形成一碳纳米管绞线;烘干该碳纳米管绞线;以及激活烘干后的碳纳米管绞线,即得到热发射电子源。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |