发明名称 PROCEDIMIENTO DE ELABORACION POR PROYECCION TERMICA DE UNA DIANA A BASE DE SILICIO Y DE CIRCONIO.
摘要 Composición de un compuesto que comprende los componentes definidos a continuación y expresados en porcentaje en masa, el cual permite la elaboración de una diana por un procedimiento de elaboración por proyección térmica, especialmente por vía plasma, caracterizada porque está constituida esencialmente por: - Al : 2 a 20% - Si : 25 a 45% - ZrSi2 : 45 a 70%
申请公布号 ES2349426(T3) 申请公布日期 2011.01.03
申请号 ES20060709475T 申请日期 2006.02.03
申请人 SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE 发明人 NADAUD, NICOLAS;BILLIERES, DOMINIQUE
分类号 C23C14/34;C23C14/06 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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