| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一基板，其包括一影像感测器区和一电路区，其中该电路区包括一接合垫区和一连线区；一多层内连线结构，形成于该基板上，其中该多层内连线结构包括复数个介电层、复数个较低导线和一顶连线，该复数个较低导线系位于该接合垫区和该连线区中，该顶连线系位于该连线区中的至少一该较低导线上；一保护层，形成于该多层内连线结构上方；以及一接合垫结构，形成于该保护层和至少一该介电层中，以及该接合垫区中的至少一该较低导线上，且该接合垫结构电性连接至该接合垫区中的至少一该较低导线。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该影像感测器区包括形成于该基板上的一影像感测器。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该保护层包括单一层或复合层。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该接合垫结构包括一开口和位于该开口中的一接合垫层。如申请专利范围第4项所述之半导体装置，其中该接合垫层的表面大体上与该保护层共平面。如申请专利范围第4项所述之半导体装置，其中该接合垫层的表面大体上低于该保护层的表面。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该接合垫结构更包括一平坦层，其覆盖于该保护层和该接合垫结构上。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该接合垫结构更包括一微透镜层，覆盖于该平坦层上。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，系以下列步骤形成：提供一基板，该基板包括一影像感测器区和一电路区，其中该电路区包括一接合垫区和一连线区；于该基板上形成一多层内连线结构，其中该多层内连线结构包括复数个介电层、复数个较低导线和一顶连线，该复数个较低导线系位于该接合垫区和该连线区中，该顶连线系位于该连线区中的至少一该较低导线上；于该多层内连线结构上方形成一保护层；以及于该保护层和至少一该介电层中形成一接合垫结构，且电性连接至位于该接合垫区中的至少一该较低导线。一种半导体装置，包括：一基板，其包括一影像感测器，形成于该基板上；一多层内连线结构，形成于该基板上，其中该多层内连线结构包括复数个较低导线和一顶连线；一保护层，形成于该多层内连线结构上方；以及一接合垫结构，包括：一开口，形成于该保护层中且穿过该保护层；以及一接合垫层，顺应性形成于该开口中并延伸至该保护层的侧壁上，其中该接合垫结构的底部低于该顶连线。如申请专利范围第10项所述之半导体装置，其中该接合垫层的表面大体上与该保护层共平面。如申请专利范围第10项所述之半导体装置，其中该接合垫层的表面大体上低于该保护层的表面。如申请专利范围第10项所述之半导体装置，其中该接合垫结构系电性连接到至少一该较低导线。如申请专利范围第10项所述之半导体装置，其中该接合垫结构更包括一平坦层和形成于该平坦层上的一微透镜层。如申请专利范围第10项所述之半导体装置，系以下列步骤形成：提供一基板，其包括一影像感测器，形成于该基板上；形成一多层内连线结构于该基板上，其中该多层内连线结构包括复数个较低导线和一顶连线；形成一保护层于该多层内连线结构上方；形成一开口于该保护层中，其中该开口的底部低于该顶连线；以及顺应性形成一接合垫层于该开口中，以形成一接合垫结构。一种半导体装置，包括：一基板，其包括一影像感测器，形成于该基板上；一多层内连线结构，形成于该基板上；一保护层，形成于该多层内连线结构上方；以及一接合垫结构，包括：一开口，形成于该保护层中且穿过该保护层；以及一接合垫层，顺应性形成于该开口中并延伸至该保护层的侧壁上，其中该接合垫结构的表面不超过该保护层。如申请专利范围第16项所述之半导体装置，其中该接合垫结构的表面大体上与该保护层共平面。如申请专利范围第16项所述之半导体装置，其中该接合垫结构的表面大体上低于该保护层的表面。如申请专利范围第16项所述之半导体装置，其中该接合垫结构系电性连接到该多层内连线结构的一较低导线。 |
