| 主权项 |
一种使用非挥发性储存装置之方法，其包括：施加一特定电压至一含经连接之非挥发性储存元件之群组中的一特定非挥发性储存元件；施加一第一电压至该群组中之一含一或多个非挥发性储存元件之第一集合，该含一或多个非挥发性储存元件之第一集合系位于该特定非挥发性储存元件之一第一侧，并且自该群组之一最后擦除以来已历经一或多次程式化过程，配合该特定电压，施加该第一电压；施加一第二电压至该群组中之一含一或多个非挥发性储存元件之第二集合，该含一或多个非挥发性储存元件之第二集合系位于该特定非挥发性储存元件之一第二侧并且自该群组之该最后擦除以来尚未历经一程式化过程，配合该特定电压，施加该第二电压；配合施加该特定电压，施加不同于该第二电压之一电压至该群组中之一邻近非挥发性储存元件，该邻近非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该第二侧而紧邻该特定非挥发性储存元件，自擦除该群组以来，紧邻该特定非挥发性储存元件之该邻近非挥发性储存元件尚未历经程式化；及依据该特定电压来验证该特定非挥发性储存元件之程式化。如请求项1之方法，其中：该第二电压小于该第一电压。如请求项2之方法，其中：不同于该第二电压之该电压大于该第二电压且小于该第一电压。如请求项2之方法，其中：不同于该第二电压之该电压大于该第二电压且等于该第一电压。如请求项1之方法，其中：该特定电压系一验证参考电压；该第一电压充分高而足以开通该第一非挥发性储存元件集合；该第二电压充分高而足以开通该第二非挥发性储存元件集合；及该第二电压小于该第一电压；及该验证系作为一程式化过程之一迭代的部分。如请求项5之方法，其中：该含经连接之非挥发性储存元件之群组系属于一共同NAND串之部分的NAND快闪记忆体装置。如请求项5之方法，其中：该第一非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧；该第二非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧；及该邻近非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该汲极侧。如请求项1之方法，其进一步包括：自该特定非挥发性储存元件读取资料包括施加一共同读取电压至该第一非挥发性储存元件集合与该第二非挥发性储存元件集合，该读取包括依据该邻近非挥发性储存元件之一条件来施加一资料相依之电压至该邻近非挥发性储存元件。如请求项8之方法，其中：该含经连接之非挥发性储存元件之群组系属于一共同NAND串之部分的多状态式NAND快闪记忆体装置；施加该特定电压至该特定非挥发性储存元件之一控制闸极；施加该第一电压至该第一非挥发性储存元件集合之控制闸极；施加该第二电压至该第二非挥发性储存元件集合之控制闸极；及施加不同于该第二电压之该电压至该邻近非挥发性储存元件之一控制闸极。如请求项9之方法，其中：该第二电压小于该第一电压；该特定电压系一验证参考电压；该第一电压充分高而足以开通该第一非挥发性储存元件集合；该第二电压充分高而足以开通该第二非挥发性储存元件集合；及该第一非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧；该第二非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧；及该邻近非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该汲极侧。如请求项1之方法，进一步包括：依据该第二集合中的非挥发性储存元件数量来选择不同于该第二电压之该电压之一值。一种非挥发性储存系统，包括：一含经连接之非挥发性储存元件之群组；及一管理电路，其与该含经连接之非挥发性储存元件之群组通讯，该管理电路施加一特定电压至该群组中的一特定非挥发性储存元件，当施加该特定电压时，该管理电路施加一第一电压至该群组中之一含一或多个非挥发性储存元件之第一集合，及施加一第二电压至该群组中之一含一或多个非挥发性储存元件之第二集合，该含一或多个非挥发性储存元件之第一集合系位于该特定非挥发性储存元件之一第一侧，并且自该群组之一最后擦除以来已历经一或多次程式化过程，该含一或多个非挥发性储存元件之第二集合系位于该特定非挥发性储存元件之一第二侧，并且自该群组之该最后擦除以来尚未历经一程式化过程，当施加该特定电压时，该管理电路施加不同于该第二电压之一电压至该群组中之一邻近非挥发性储存元件，该邻近非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该第二侧而紧邻该特定非挥发性储存元件，自擦除该群组以来，紧邻该特定非挥发性储存元件之该邻近非挥发性储存元件尚未历经程式化，该管理电路依据该特定电压来验证该特定非挥发性储存元件之程式化。如请求项12之非挥发性储存系统，其中：该第二电压小于该第一电压；及不同于该第二电压之该电压大于该第二电压且小于该第一电压。如请求项12之非挥发性储存系统，其中：该特定电压系一验证参考电压；该第一电压充分高而足以开通该第一非挥发性储存元件集合；该第二电压充分高而足以开通该第二非挥发性储存元件集合；及该第二电压小于该第一电压；及该管理电路验证该特定非挥发性储存元件之程式化以作为一程式化过程之一迭代的部分。如请求项12之非挥发性储存系统，其中：该含经连接之非挥发性储存元件之群组系一NAND串。如请求项15之非挥发性储存系统，其中：该第一非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧；该第二非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧；及该邻近非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该汲极侧。如请求项12之非挥发性储存系统，其中：该管理电路自该特定非挥发性储存元件读取资料包括施加一共同读取电压至该第一非挥发性储存元件集合与该第二非挥发性储存元件集合，该读取包括依据该邻近非挥发性储存元件之一条件来施加一资料相依之电压至该邻近非挥发性储存元件。如请求项17之非挥发性储存系统，其中：该含经连接之非挥发性储存元件之群组系一NAND串；施加该特定电压至该特定非挥发性储存元件之一控制闸极；施加该第一电压至该第一非挥发性储存元件集合之控制闸极；施加该第二电压至该第二非挥发性储存元件集合之控制闸极；及施加不同于该第二电压之该电压至该邻近非挥发性储存元件之一控制闸极。如请求项18之非挥发性储存系统，其中：该第二电压小于该第一电压；该特定电压系一验证参考电压；该第一电压充分高而足以开通该第一非挥发性储存元件集合；该第二电压充分高而足以开通该第二非挥发性储存元件集合；及该第二电压小于该第一电压；该第一非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一源极侧；该第二非挥发性储存元件集合系位于该特定非挥发性储存元件之一汲极侧；及该邻近非挥发性储存元件系位于该特定非挥发性储存元件之该汲极侧。如请求项12之非挥发性储存系统，其中：该管理电路依据该第二集合中的非挥发性储存元件数量来选择不同于该第二电压之该电压之一值。 |
