| 主权项 |
一种发光装置，其特征为具有包含：阴极、与和上述阴极成对之阳极、及连接于上述阳极而且设置于上述阳极和上述阴极之间的电洞注入层、以及设置于上述电洞注入层和上述阴极之间，以外加电场发光的发光层，之发光元件的发光装置；上述电洞注入层为以可溶于有机溶媒，且藉由电子受容性之有机化合物而氧化之共轭高分子所构成；上述共轭高分子之基本骨架为聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、或聚呋喃者；且上述电子受容性有机化合物为式(2)~(9)所示之至少一种之化合物@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项之发光装置，其中上述发光元件，包含连接于上述电洞注入层而设置之电洞输送层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中上述发光元件，包含连接于上述电洞注入层而设置之电洞输送层、与接连于上述电洞输送层而设置之发光层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中上述发光元件，包含接连于上述电洞注入层而设置之电洞输送层、与接连于上述电洞输送层而设置之上述发光层、及接连于上述发光层而设置之电子输送层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中上述发光元件，包含接连于上述电洞注入层而设置之电洞输送层、与接连于上述电洞输送层而设置之上述发光层、及接连于上述发光层而设置之电子输送层、以及接于上述电子输送层而设置之电子灌入层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中使用式(1)所示之聚合物，做为以上述聚噻吩为基本骨架之共轭高分子@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!式中，R1、R2为相同或相异之含有氢原子、卤原子、氧原子、硫原子或氮原子亦佳的有机残基。如申请专利范围第2项之发光装置，其中上述电洞输送层中所含电洞输送材料相比较，最高被占分子轨道与最低空分子轨道之能量差大的阻挡性材料，含于上述电洞输送层与阴极之间的区域。如申请专利范围第3项之发光装置，其中上述电洞输送层中所含电洞输送材料相比较，最高被占分子轨道与最低空分子轨道之能量差大的阻挡性材料，含于上述电洞输送层与阴极之间的区域。如申请专利范围第4项之发光装置，其中上述电洞输送层中所含电洞输送材料相比较，最高被占分子轨道与最低空分子轨道之能量差大的阻挡性材料，含于上述电洞输送层与阴极之间的区域。如申请专利范围第5项之发光装置，其中上述电洞输送层中所含电洞输送材料相比较，最高被占分子轨道与最低空分子轨道之能量差大的阻挡性材料，含于上述电洞输送层与阴极之间的区域。如申请专利范围第1项之发光装置，其中上述发光元件，含有由三重态激励状态而呈现发光之化合物。如申请专利范围第1项之发光装置，其中上述共轭高分子为进行电化学的氧化者。如申请专利范围第1项之发光装置，其中系藉由与上述共轭高分子相对应的单体之电场聚合，而形成膜状者。一种电器具，其特征为使用申请专利范围第1项之发光装置者。一种发光装置之制作方法，其特征为，制作以聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、或聚呋喃为基本骨架，且具有授与对有机溶媒之溶解性的取代基之共轭高分子；将电子受容性有机化合物，掺杂于上述共轭高分子；使上述共轭高分子在阳极上成膜，形成电洞注入层，且上述电子受容性有机化合物为式(2)~(9)所示之至少一种之化合物@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!如申请专利范围第15项的发光装置之制作方法，其中上述共轭高分子系以具有电子给予性之取代基替代上述具有授与对有机溶媒之溶解性的取代基，其中该具有电子给予性之取代基系选自烷氧基，烷硫基，二烷基胺基，三烷基甲矽烷基，含该烷氧基、烷硫基、二烷基胺基、或三烷基甲矽烷基之芳香族取代基，该具有授与对有机溶媒之溶解性的取代基系选自直链或支链结构之碳原子数4以上的烷基，碳原子数4~6之直链或支链结构的脂肪族烃基，碳原子数4~6之脂环式烃基，具有脂肪族烃基或者脂环式烃基之苯环或缩合芳香环，或具有碳原子数4以上之脂肪族烃基或碳原子数4~10之脂环式烃基的电子缺乏型之杂芳香环。 |
