| 主权项 |
一种微电子总成，包含：一微电子元件，其具有一第一表面及可在该第一表面存取之接点；一顺应层，其叠覆于该微电子元件之该第一表面上；导电迹线，其位于该顺应层的一顶部表面，该等迹线与该等接点连接；导电柱，其叠覆于该顺应层上且从该等导电迹线突出而远离，其中该等导电柱与该微电子元件的该等接点电性连接，其中该顺应层具有一平坦顶部表面及一倾斜表面，且该等导电柱在该顶部表面上突出50-300微米的一高度。如请求项1之总成，其中该等导电柱具有界定该总成上之最高点的尖端。如请求项1之总成，其中该顺应层具有与该微电子元件之该等接点对齐的开口。如请求项3之总成，其中该等导电迹线通过该顺应层中之通孔，以将该等导电柱与该微电子元件之该等接点电性连接。如请求项1之总成，其中该微电子元件系一半导体晶圆。如请求项1之总成，其中该微电子元件系一半导体晶片。如请求项1之总成，尚包含一配置在该微电子元件之第一表面与该顺应层之间的介电钝化层。如请求项1之总成，其中该顺应层包含一具有一低弹性系数的材料。如请求项1之总成，其中该顺应层包含一介电材料。如请求项1之总成，其中该顺应层包含一从矽、弹性树脂、聚醯亚胺、热固性聚合物、氟聚合物、热塑性聚合物等该组材料中所选出之材料。如请求项1之总成，其中该顺应层的该倾斜表面延伸于该顺应层之该顶部表面与该微电子元件之该第一表面间。如请求项11之总成，其中该倾斜表面包括至少一曲面。如请求项12之总成，其中该至少一曲面包括一从该微电子元件之第一表面延伸的曲面。如请求项12之总成，其中该至少一曲面包括一从该顺应层之顶部表面延伸的曲面。如请求项1之总成，其中该等导电迹线包含从铜、金及镍等该组材料所选出的材料之至少之一者。如请求项1之总成，其中该顺应层包含复数个位于该微电子元件之第一表面上的顺应凸块，及其中该等导电柱之至少一者配置在该等顺应凸块之至少一者上方。如请求项16之总成，其中该等导电柱配置在该等顺应凸块上方。如请求项1之总成，其中各该等导电柱具有一与该顺应层紧邻之底座及一远离该顺应层的尖端。如请求项18之总成，其中该等导电柱之至少一者具有一截头圆锥形状，此形状具有一100-600微米直径的该底座及一40-200微米直径的该尖端。如请求项1之总成，其中该等导电柱包含一导电材料。如请求项1之总成，其中该等导电柱包含从铜、铜合金、金及其组合物等该组材料中所选出之材料。一种微电子总成，包含：一微电子元件，其具有一第一表面及可在该第一表面存取之接点；一顺应层，其叠覆于该微电子元件之该第一表面上，该顺应层具有一与该微电子元件之第一表面间隔的顶部表面；导电柱，其叠覆于该顺应层之顶部表面上且从该微电子元件之第一表面突出；长形导电元件，其位于该等导电柱下方，及将该等导电柱与该微电子元件之该等接点电气互连；其中该顺应层具有一平坦顶部表面及一倾斜表面，及该等导电柱在该顶部表面上突出50-300微米的一高度。如请求项22之总成，其中该微电子元件系一半导体晶圆。如请求项22之总成，其中该微电子元件系一半导体晶片。如请求项22之总成，其中该顺应层包含复数个顺应凸块且各该导电柱配置在该等凸块之一者的上方。如请求项22之总成，其中该顺应层具有与该微电子元件之该等接点对齐的开口，该等开口界定该顺应层的倾斜表面，此倾斜表面从该微电子元件之第一表面延伸至该顺应层的顶部表面，其中该等长形导电元件位于该顺应层的倾斜表面上。一种微电子总成，包含：一微电子元件，其具有一第一表面及可在该第一表面存取之接点；复数个顺应凸块，其叠覆于该微电子元件之该第一表面上，各该顺应凸块配置于紧邻该微电子元件之该等接点；经蚀刻的导电柱，其叠覆于该微电子元件上且从该微电子元件的第一表面突出；导电迹线，其将该等导电柱与该微电子元件之该等接点电气互连，其中该等顺应凸块致使该等导电柱相对于该微电子元件之该等接点移动，其中该等复数个顺应凸块的至少之一者具有一平坦顶部表面及一倾斜表面，及该等导电柱之一者在该顶部表面上突出50-300微米的一高度。如请求项27之总成，其中该等顺应凸块具有与该微电子元件之第一表面间隔的顶部表面及在该等顺应凸块之顶部表面与该微电子元件之第一表面间延伸的倾斜表面。如请求项28之总成，其中该等导电迹线延伸于该等顺应凸块的倾斜表面上。一种微电子总成，包含：一微电子元件，其具有一第一表面及可在该第一表面存取之接点；一顺应层，其具有一第一表面，其面向该微电子元件之该第一表面，及一第二表面，其面向远离该微电子元件的该第一表面；导电迹线，其沿着该顺应层的该第二表面延伸，该等迹线与该等接点连接；导电柱，其叠覆于该顺应层上方，在该顺应层的该第二表面上突出至少50微米的一高度，及从该等导电迹线突出而远离，其中该等导电柱与该微电子元件的该等接点电性连接。一种微电子总成，包含：一微电子元件，其具有一第一表面及可在该第一表面存取之接点；一顺应层，具有一第一表面面向该微电子元件的该第一表面，及一第二表面面向远离该微电子元件的该第一表面；导电柱，其叠覆于该顺应层之顶部表面上，在该顺应层的该第二表面上突出至少50微米的一高度，且从该微电子元件之该第一表面突出而远离；长形导电元件，其位于该等导电柱下方，且将该等导电柱与该微电子元件之该等接点电性连接。一种微电子总成，包含：一微电子元件，其具有一第一表面及可在该第一表面存取之接点；复数个顺应凸块，其每一者具有一第一表面面向该微电子元件的该第一表面，及一第二表面面向远离该微电子元件的该第一表面；经蚀刻的导电柱，其叠覆并在该等顺应凸块的该等第二表面上突出至少50微米的一高度，该等导电柱从该等微电子元件的该第一表面突出而远离；导电迹线，其将该等导电柱及该微电子元件的该等接点电性连接，其中该等顺应凸块使该等导电柱能够相对于该微电子元件的该等接点移动。 |
