| 主权项 |
一种可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，包括：一基底，包括一记忆体区与一核心电路区；一记忆体元件，包括一选择闸极与一浮置闸极，该选择闸极与该浮置闸极相邻配置于该记忆胞区中的该基底上；多层介电层，配置于该基底上且覆盖该记忆体元件，该些多层介电层中具有一第一开口，且该第一开口位于该浮置闸极上方；多层顶盖层，各该顶盖层分别配置于各该介电层上；以及至少三层金属层，配置于该核心电路区中的该些介电层中。如申请专利范围第1项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该些介电层的材料包括氧化矽。如申请专利范围第1项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该些顶盖层的材料包括氮化矽。如申请专利范围第1项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该些金属层的材料包括铜。如申请专利范围第1项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，更包括：一焊垫，配置于该些金属层上方的该介电层中并与该些金属层耦接；以及一保护层，配置于该些金属层上方的该介电层上并覆盖该焊垫。如申请专利范围第5项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该焊垫的材料包括铝。如申请专利范围第5项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该保护层的材料包括氮化矽。如申请专利范围第5项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该些金属层上方的该介电层中具有一第二开口，该第二开口暴露出该焊垫，且该第二开口底部与该基底表面之间的距离大于该第一开口底部与该基底表面之间的距离。如申请专利范围第1项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，更包括一熔丝结构，配置于该核心电路区中的该些介电层中。如申请专利范围第9项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，其中该些介电层中具有一第三开口，该第三开口位于该熔丝结构上方，且该第三开口底部与该基底表面之间的距离大于该第一开口底部与该基底表面之间的距离。一种可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，包括：提供一基底，该基底包括一记忆胞区与一核心电路区，且于该记忆胞区中的该基底上已形成有一记忆体元件，该记忆体元件包括一选择闸极与一浮置闸极，该选择闸极与该浮置闸极相邻配置于该基底上；重复进行下列步骤(a)至(c)至少三次：(a)于该基底上形成一介电层，且该介电层覆盖该记忆体元件；(b)于该介电层中形成一金属层；以及(c)于该介电层上形成一顶盖层；以及于该些介电层中形成一第一开口，且该第一开口位于该浮置闸极上方。如申请专利范围第11项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，更包括：于该些金属层上方的该介电层中形成一焊垫，且该焊垫与该些金属层耦接；于该些金属层上方的该介电层上形成一保护层，且该保护层并覆盖该焊垫；以及于该该些金属层上方的该介电层及该保护层中形成一第二开口，且该第二开口暴露出该焊垫。如申请专利范围第12项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，其中该第一开口与该第二开口为同时形成。如申请专利范围第12项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，更包括：于该些介电层中形成一熔丝结构；以及于该些介电层中形成一第三开口，且该第三开口位于该熔丝结构上方。如申请专利范围第14项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，其中该第一开口、该第二开口与该第三开口为同时形成。如申请专利范围第11项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，更包括：于该些介电层中形成一熔丝结构；以及于该些介电层中形成一第三开口，且该第三开口位于该熔丝结构上方。如申请专利范围第16项所述之可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体的制造方法，其中该第一开口与该第三开口为同时形成。 |
