| 主权项 |
一种利用氟化氩(ArF)曝射光源制造半导体装置之方法，包括下列步骤：于一半导体基板上形成一导电层；依序于该导电层上形成一第一硬式遮罩层、一第二硬式遮罩层及一第三硬式遮罩层；利用氟化氩(ArF)曝射光源于该第三硬式遮罩层上形成一光阻图案，以便形成一预定图案；藉由使用该光阻图案当作蚀刻遮罩对该第三硬式遮罩层进行蚀刻，以形成一第一硬式遮罩图案；藉由使用该第一硬式遮罩图案当作蚀刻遮罩对该第二硬式遮罩层进行蚀刻，以形成一第二硬式遮罩图案；移除该第一硬式遮罩图案而不损害该导电层；以及使用该第二硬式遮罩图案当作蚀刻遮罩对该第一硬式遮罩层和导电层进行蚀刻，并形成一含有该导电层以及该第二和第一硬式遮罩图案的堆叠型硬式遮罩图案。其中该第三硬式遮罩层系和该导电层相同的材料。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一硬式遮罩层系掺杂多晶矽层或是未掺杂多晶矽层。如申请专利范围第1项之方法，其中该第二硬式遮罩层系氮氧化物层或氮化矽层。如申请专利范围第1项之方法，其中系藉由使用SC-1(NH4OH：H2O2：H2O=1：4：20)溶液对该第三硬式遮罩层进行蚀刻。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一硬式遮罩层的厚度系落在50埃到100埃的范围内。如申请专利范围第1项之方法，其中该预定图案系一闸极电极图案、位元线或是其他金属导线图案。一种利用氟化氩(ArF)曝射光源制造半导体装置之方法，包括下列步骤：于一半导体基板上形成一导电层；依序于该导电层上形成一第一硬式遮罩层、一第二硬式遮罩层及一第三硬式遮罩层；利用氟化氩(ArF)曝射光源于该第三硬式遮罩层上形成一光阻图案，以便形成一预定图案；藉由使用该光阻图案当作蚀刻遮罩对该第三硬式遮罩层进行蚀刻，以形成一第一硬式遮罩图案；至少使用该第一硬式遮罩图案对该第二硬式遮罩层和第一硬式遮罩层进行蚀刻，并形成一含有该第一硬式遮罩图案、第二硬式遮罩图案及第三硬式遮罩图案的三重堆叠型硬式遮罩图案；以及使用该三重堆叠型硬式遮罩图案当作蚀刻遮罩对该导电层进行蚀刻，且同时移除该第一硬式遮罩图案，因此形成一含有该导电层以及该第二硬式遮罩图案和第三硬式遮罩图案的堆叠型结构；其中，该第三硬式遮罩层系和该导电层相同之材料。如申请专利范围第7项之方法，其中该第一硬式遮罩层系为LPCVD氮氧化物层，而该第二硬式遮罩层系为PECVD氮氧化物层。如申请专利范围第7项之方法，其中该第二硬式遮罩层的厚度系等于该第一硬式遮罩层厚度的两倍或更多倍。如申请专利范围第7项之方法，进一步包括于该第三硬式遮罩层上形成一抗反射涂层的步骤。一种利用氟化氩(ArF)曝射光源制造半导体装置之方法，包括下列步骤：于一半导体基板上形成一导电层；依序于该导电层上形成一第一硬式遮罩层及一第二硬式遮罩层；利用氟化氩(ArF)曝射光源于该第二硬式遮罩层上形成一光阻图案，以便形成一预定图案；藉由使用该光阻图案当作蚀刻遮罩对该第二硬式遮罩层进行蚀刻，以形成一第一硬式遮罩图案；至少使用该第一硬式遮罩图案对该第一硬式遮罩层进行蚀刻，并形成一第二硬式遮罩图案且不损害该导电层，因此形成了第一最终结构；于该第一最终结构上沈积一绝缘层；以及使用该第二硬式遮罩图案当作蚀刻遮罩为该导电层进行图案制作。如申请专利范围第11项之方法，其中该绝缘层系为流动性绝缘层或是有机聚合物层。如申请专利范围第11项之方法，其中该第一硬式遮罩层系为氮化物层，而该第二硬式遮罩层系为钨层或氮化钨层之导电层。如申请专利范围第12项之方法，其中该流动性绝缘层系为SOG层或APL层。如申请专利范围第12项之方法，其系进一步包括移除该绝缘层及第一硬式遮罩图案的下列步骤：利用氟化物溶液施行第一湿蚀刻程序以移除部分绝缘层；利用SC-1溶液施行第二湿蚀刻程序以移除该第一硬式遮罩图案；以及利用氟化物溶液施行第三湿蚀刻程序以移除剩余的第一硬式遮罩图案。如申请专利范围第12项之方法，其系进一步包括于该第二硬式遮罩层上形成一抗反射涂层的步骤。如申请专利范围第11项之方法，其中该预定图案系为一闸极电极图案、位元线或是其他金属导线图案。 |
