| 主权项 |
一种背光开路保护电路，包括：至少二背光灯开路检测电路，每一背光灯开路检测电路包括一背光灯管及一检测输出端；一脉宽调变积体电路，其包括一电流采样端，当该电流采样端被拉为低电压时，该脉宽调变积体电路停止工作；一控制开关，该控制开关包括一第一电晶体，该第一电晶体之源极接地，汲极电连接至该脉宽调变积体电路之电流采样端，闸极电连接至一电源；一输入电路，其包括至少二第一二极体；至少二输入电阻；至少二第一滤波电容；一第一偏置电阻；一第二电晶体；及一峰值检波电路，其包括一第二二极体、一第二滤波电容及一第二偏置电阻；其中，该第一二极体之正极连接至该第二二极体之正极，且第一二极体与该第二二极体之间之一电路节点经由该第一偏置电阻电连接至该电源，每一第一二极体之负极经由该第一滤波电容接地，且每一第一二极体之负极分别串联一输入电阻后连接至一检测输出端，该第二二极体之负极连接至该第二电晶体之闸极，且分别经由该第二滤波电容及第二偏置电阻接地，该第二电晶体之源极接地，该第二电晶体之汲极连接至该第一电晶体之闸极。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其进一步包括一限流电阻，该第一电晶体之闸极经由该限流电阻电连接至该电源。如申请专利范围第2项所述之背光开路保护电路，其中，该限流电阻之电阻值为180K Ω。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该第一及第二电晶体为N型通道加强型金属氧化物半导体场效电晶体。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该第一及第二电晶体为NPN型双极电晶体。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该输入电阻之电阻值为10K Ω。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该第一偏置电阻为100K Ω。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该第二偏置电阻为470K Ω。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该第一滤波电容及第二滤波电容之电容值皆为0.1μF Ω。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其进一步包括一充电电容，该第二电晶体之汲极经由该充电电容接地。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该电源为一5V直流电源。如申请专利范围第11项所述之背光开路保护电路，其中，该5V直流电源由该脉宽调变积体电路之一引脚提供。如申请专利范围第12项所述之背光开路保护电路，其中，该脉宽调变积体电路系采用型号为OZ9910G之积体电路。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该第一二极体及第二极体皆采用型号为SN4148之二极体。如申请专利范围第1项所述之背光开路保护电路，其中，该背光灯管系冷阴极萤光灯管。 |
