| 主权项 |
一种半导体机台之改良机构，包括：一第一腔体，具有一第一内径；一第二腔体，连接于该第一腔体且具有大于该第一内径之一第二内径，其中该第一腔体与第二腔体构成一连通之内室；以及一制程腔体，连接于该第二腔体且内部设置一晶圆承载装置。如申请专利范围第1项所述之半导体机台，其中该第一腔体之半径为r1，第二腔体之半径为r2，且(1.2)r1@sIMGCHAR!d10005.TIF@eIMG!r2@sIMGCHAR!d10006.TIF@eIMG!2r1。如申请专利范围第1项所述之半导体机台，其中该第一腔体与该第二腔体同为电浆腔体。如申请专利范围第3项所述之半导体机台，更包含至少一感应电路，环绕设置于该第一腔体与该第二腔体上。如申请专利范围第3项所述之半导体机台，其中该电浆腔体系一感应耦合电浆腔体(ICP chamber)。如申请专利范围第1项所述之半导体机台，更包含至少一冷却管路，该些冷却管路系环绕设置于该第一腔体与该第二腔体上。如申请专利范围第1项所述之半导体机台，其中又包含一反应气体入口，该反应气体入口系设置于该第一腔体上。如申请专利范围第1项所述之半导体机台，其中该第二腔体位于该第一腔体下方且连接该制程腔体。如申请专利范围第1项所述之半导体机台，其中该第一腔体以及该第二腔体同为蚀刻制程室或沉积制程室。 |
