| 摘要 |
L'invention concerne un dispositif à transfert de charges formé dans un substrat semiconducteur et comportant une matrice d'électrodes (33, 37) réparties en rangées (31, 35) et en colonnes (55), dans lequel : chaque électrode (33, 37) est formée dans une cavité à parois isolées constituée d'une rainure qui s'étend généralement dans la direction des rangées, dont une première extrémité est plus proche d'une rangée supérieure et une seconde extrémité est plus proche d'une rangée inférieure ; et les électrodes de deux rangées adjacentes sont symétriques par rapport à un plan orthogonal au capteur et comprenant la direction d'une rangée.
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