首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE
摘要
申请公布号 HK1112109(A1) 申请公布日期 2010.12.31
申请号 HK20080106432 申请日期 2008.06.11
申请人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA;JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY 发明人 BAKER, TROY, J.;HASKELL, BENJAMIN, A.;FINI, PAUL, T.;DENBAARS, STEVEN, P.;SPECK, JAMES, S.;NAKAMURA, SHUJI
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com