| 摘要 |
La présente invention se rapport à une diode électroluminescente (DEL) qui comprend un semi-conducteur contenu dans la cavité d'un support (« package »), éventuellement une matière incluant ledit semi-conducteur contenue dans ladite cavité, des moyens d'alimentation électrique et un élément optique plan qui ferme ladite cavité, dans laquelle l'élément optique est en verre et comprend au moins un motif à modulation d'indice de réfraction contenant des ions argent, thallium, césium, plomb ou baryum intégré dans l'épaisseur du verre. L'invention concerne également le procédé de fabrication collectif à l'échelle d'une galette (« wafer » en anglais) desdites diodes électroluminescentes.
|
