| 发明名称 |
EPITAXIAL GROWTH ON LOW DEGREE OFF-AXIS SILICON CARBIDE SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR DEVICES MADE THEREBY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20100139068(A) |
申请公布日期 |
2010.12.31 |
| 申请号 |
KR20107023746 |
申请日期 |
2009.03.12 |
| 申请人 |
SEMISOUTH LABORATORIES, INC. |
发明人 |
ZHANG JIE |
| 分类号 |
C30B23/06;C30B29/36;H01L21/20 |
主分类号 |
C30B23/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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