发明名称 Transistorbauelement mit einer amorphen semiisolierenden Kanalsteuerschicht
摘要 Beschrieben wird ein Transistorbauelement, das eine Steuerstruktur mit einer Kanalsteuerschicht aus einem amorphen semiisolierenden Material, die sich in Stromflussrichtung entlang einer Kanalzone erstreckt, aufweist.
申请公布号 DE102010030180(A1) 申请公布日期 2010.12.30
申请号 DE201010030180 申请日期 2010.06.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 SCHMIDT, GERHARD
分类号 H01L29/78;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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