| 发明名称 | 大面积磁控镀膜用真空过渡室 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种磁控镀膜用真空缓冲装置。其包括主箱体，左、右端板，沿口板，所述主箱体由中间隔板装置间隔成多个真空腔室，所述中间隔板装置设有通孔以供镀膜基片在多个真空腔室之间通行。本实用新型解决了镀膜区气氛稳定的技术问题，提高了镀膜基材的镀膜质量、镀膜效率和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN201686740U | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN201020189993.9 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 上海子创镀膜技术有限公司 | 发明人 | 何玄涛;朱敏华 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海衡方知识产权代理有限公司 31234 | 代理人 | 卞孜真 |
| 主权项 | 大面积磁控镀膜用真空过渡室，包括主箱体(10)，左、右端板(20，30)，沿口板(40)，其特征在于：所述主箱体(10)由中间隔板装置(50)间隔成多个真空腔室(60，61，62)，所述中间隔板装置(50)设有通孔(70)以供镀膜基片在多个真空腔室之间通行。 | ||
| 地址 | 201617 上海市松江区石湖荡镇唐明路277号 | ||