一种电表SOC系统及其初始化方法

摘要

本发明公开了一种电表SOC系统及其初始化方法，系统包括片上微机系统MCU和flash存储器，还包括连接于片上微机系统MCU和flash存储器之间的flash接口电路以及与该flash接口电路相连的串行外设接口SPI；方法包括MCU初始化方法和SPI初始化方法。本发明的电表SOC系统中，具有两种初始化方法的flash(闪存)的系统接口，可以方便灵活的对flash进行擦除、读写和校验操作，便于SOC系统中的MCU对flash进行管理和读取程序，可以把需要保存的电能等数据输入保存到该flash中，省去了常用的E2PROM；可以在电表SOC系统中实现IAP，方便软件的开发和应用。

主权项

一种电表SOC系统，包括片上微机系统MCU和flash存储器，其特征在于，还包括一连接于片上微机系统MCU和flash存储器之间的flash接口电路以及与该flash接口电路相连的串行外设接口SPI，其中：所述的flash接口电路实现对flash存储器的擦除、读写和校验操作，将需要保存的电能信息输入保存到flash存储器中，它作为flash存储器与片上微机系统MCU和串行外设接口SPI之间的接口；所述的串行外设接口SPI实现电表SOC系统的SPI操作模式，当外部输入信号spi_flash_en为高电平时，该串行外设接口SPI通过flash接口电路对flash存储器进行操作；所述的片上微机系统MCU实现电表SOC系统的MCU操作模式，当外部输入信号为低电平时，该片上微机系统MCU通过flash接口电路对flash存储器进行操作；所述的flash接口电路包括相连的模块选择模块以及flash控制模块，所述的flash控制模块包括有一寄存器flash_con；在所述的SPI操作模式时，flash存储器的读或写或擦除的使能信号通过所述的flash接口电路来自于所述的串行外设接口SPI，flash存储器的操作由该使能信号和寄存器flash_con共同控制；在所述的MCU操作模式时，flash存储器的读或写或擦除的使能信号通过所述的flash接口电路来自于所述的片上微机系统MCU，flash存储器的操作由该使能信号和寄存器flash_con共同控制；所述模块选择模块，其中prom_dout为从flash存储器中读出到spi接口的8位数据，prom_din位从SPI接口中，需要写入到flash存储器中的数据，prom_cs为spi对flash操作的使能信号，prom_we为spi对flash的写使能信号，prom_rd为spi对flash的读使能信号，Prom_addr为spi初始化flash的地址；mcu_dout为从flash存储器中读出到片上微机系统MCU1的8位数据，mcu_din为从片上微机系统MCU1需要写入到flash存储器中的数据，mcu_addr 为片上微机系统MCU1对flash的操作地址，mcu_cs为片上微机系统MCU1对flash操作的使能信号，mcu_we为片上微机系统MCU1对flash的写使能信号，mcu_rd为片上微机系统MCU1对flash的读使能信号；Flash_dout为从flash存储器读出的相应的8位数据；flash_din为SOC系统需要写入到flash存储器的数据，当spi_flash_en为高电平时，该总线的值来自于prom_din，否则，来自于mcu_din；flash_cs为SOC系统对flash存储器的使能控制信号，当prom_flash_en为高电平时，该总线的值来自于prom_cs，否则，来自于mcu_cs；flash_wr为SOC系统对flash存储器的写使能控制信号，当spi_flash_en为高电平时，该总线的值来自于prom_we，否则，来自于mcu_we；flash_rd为SOC系统对flash存储器的读使能控制信号，当spi_flash_en为高电平时，该总线的值来自于prom_rd，否则，来自于mcu_rd。