| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供如下的半导体装置及其制造方法：能够防止在激光焊接中产生的飞溅物附着于电路图案或半导体芯片，能够防止电气特性的劣化。利用焊锡(13)在形成于陶瓷(4)上的铜箔上固定连接导体(14)，在该连接导体(14)的上部面(P)的下方填充树脂(17a)并进行激光焊接，然后填充树脂(17b)，由此，能够防止在激光焊接中产生的飞溅物(21)附着于电路图案(5)、(6)或半导体芯片(8)的情况。由此，能够防止电气特性劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN101933139A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200880120955.3 | 申请日期 | 2008.12.09 |
| 申请人 | 爱信艾达株式会社;富士电机系统株式会社 | 发明人 | 鹤冈纯司;青木一雄;小野正树;吉原克彦 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟;马建军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：电路图案，其形成于绝缘基板上；半导体芯片，其固定于所述电路图案上；连接导体，其固定于所述电路图案或所述半导体芯片的至少一方；绝缘树脂，其使所述连接导体的焊接部露出，并覆盖所述电路图案、所述半导体芯片；以及外部端子，其使主电流流入所述半导体芯片的主电极，利用激光焊接与所述连接导体的所述焊接部接合。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||