半导体存储器件

摘要

在以纵型晶体管SGT所构成的CMOS型6T-SRAM中，实现小的SRAM单元面积与稳定的动作裕度。在使用6个MOS晶体管所构成的静态型存储器单元中，构成所述存储器单元的MOS晶体管是形成于埋入氧化膜上形成的平面状硅层上，具有漏极、栅极、以及源极配置于垂直方向，且栅极包围柱状半导体层的构造，所述平面状硅层是由具有第一导电型的第一主动区域与具有第二导电型的第二主动区域所构成，通过此等主动区域通过形成于平面状硅层表面的硅化物层相互连接，实现更小面积的SRAM单元。

主权项

一种半导体存储器件，具备6个MOS晶体管配置排列于形成在衬底上的绝缘膜上的静态型存储器单元，其特征在于，所述6个MOS晶体管分别为：源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层是配置在形成于衬底上的绝缘膜上朝垂直方向呈阶层状，所述柱状半导体层是配置于所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极；并且分别当作下述元件发挥功能：用以存取存储器的第一及第二NMOS存取晶体管；为了保持存储器单元的数据而驱动存储节点的第一及第二NMOS驱动晶体管；为了保持存储器单元的数据而供给电荷的第一及第二PMOS负载晶体管，第一NMOS存取晶体管、第一NMOS驱动晶体管及第一PMOS负载晶体管是相互邻接而配置排列；第二NMOS存取晶体管、第二NMOS驱动晶体管及第二PMOS负载晶体管是相互邻接而配置排列；在第一NMOS存取晶体管、第一NMOS驱动晶体管及第一PMOS负载晶体管中，将当作保持数据的第一存储节点而发挥功能的各个第一扩散层配置于所述绝缘膜上，通过形成于所述各个第一扩散层的表面的第一硅化物层而相互连接所述各个第一扩散层；在第二NMOS存取晶体管、第二NMOS驱动晶体管及第二PMOS负载晶体管中，将当作保持数据的第二存储节点而发挥功能的各个第二扩散层配置于所述绝缘膜上，通过形成于所述各个第二扩散层的表面的第二硅化物层而相互连接所述各个第二扩散层。