发明名称 | 非易失性存储装置中的多级单元回拷编程方法 | ||
摘要 | 公开了非易失性存储装置中的一种多级单元回拷编程方法。该方法包括读取源页面的LSB数据,将所读取的LSB数据存储在页面缓冲器的第二寄存器中,将存储在第二寄存器中的数据发送到耦合到数据输入电路的第一寄存器,将所发送的数据存储在第一寄存器中,通过数据输入电路修正存储在第一寄存器中的数据,将所修正的数据发送到第二寄存器,并将所发送的数据存储在第二寄存器中,根据存储在第二寄存器中的数据将对应的数据LSB编程到目标页面。 | ||
申请公布号 | CN101174463B | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
申请号 | CN200710164394.4 | 申请日期 | 2007.10.30 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 成镇溶;朴成济 |
分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
主权项 | 一种非易失性存储装置中的多级单元回拷编程方法,包括:读取源页面的LSB数据,并将所读取的LSB数据存储到页面缓冲器中的第二寄存器中;将存储在所述第二寄存器中的数据发送到耦合到数据输入电路的第一寄存器,并将所发送的数据存储在所述第一寄存器中;通过所述数据输入电路修正存储在所述第一寄存器中的数据;将所修正的数据发送到所述第二寄存器,并将所发送的数据存储在所述第二寄存器中;以及根据存储在所述第二寄存器中的数据将对应的数据LSB编程到目标页面。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |