非易失性存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，上述非易失性存储器是形成于一基板上，包括于上述基板上形成一下导电层；于上述下导电层上形成一缓冲层，其包含一镍酸镧薄膜；利用一沉积工艺，于上述缓冲层上形成一电阻层，其中上述电阻层包含一无掺质之锆酸锶薄膜；对上述电阻层进行一退火工艺；于上述电阻层上形成一上导电层。本发明的非易失性存储器的电阻层是利用一沉积工艺和一退火工艺形成，该退火工艺是用以减少该电阻层内部的氧缺陷，使元件有更稳定的电性。相较于未经退火工艺处理电阻层的比较例的非易失性存储器，本发明的非易失性存储器于操作电压、高电阻值记忆状态、低电阻值记忆状态的稳定性以及产品良品率皆有大幅改善。

主权项

一种形成于一基板上的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：于所述基板上形成一下导电层；于所述下导电层上形成一缓冲层，其包含一镍酸镧薄膜；利用一沉积工艺，于所述缓冲层上形成一电阻层，其中所述电阻层包含一无掺质的锆酸锶薄膜；对所述电阻层进行一退火工艺，所述退火工艺是用以减少所述电阻层内部的氧缺陷；以及于所述电阻层上形成一上导电层。