| 发明名称 | CMOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种CMOS晶体管及其制作方法。其中CMOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区，PMOS有源区与NMOS有源区相邻，其中，PMOS有源区形成有PMOS晶体管，NMOS有源区形成有NMOS晶体管；在半导体衬底上形成层间介质层，且层间介质层覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述层间介质层的材料为氮氧化硅。本发明改善多晶硅栅极之间的漏电流，提高半导体器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101930947A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200910053526.5 | 申请日期 | 2009.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈亮;杨林宏 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区，PMOS有源区与NMOS有源区相邻，其中，PMOS有源区形成有PMOS晶体管，NMOS有源区形成有NMOS晶体管；在半导体衬底上形成层间介质层，且层间介质层覆盖PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述层间介质层的材料为氮氧化硅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||