发明名称 |
一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法 |
摘要 |
一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法,它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触,导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下:将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中,将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部,再将坩埚置于气压炉中,然后在700℃~1600℃的条件下保温0.5h~4h,然后冷却至室温,即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm~50nm的氮化硼膜,防止一维纳米材料间互相接触,从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。 |
申请公布号 |
CN101928915A |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN201010200513.9 |
申请日期 |
2010.06.13 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
温广武;钟博;张亦放;黄小萧;张晓东 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
韩末洙 |
主权项 |
一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法,其特征在于一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法如下:一、将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中,将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部,再将坩埚置于炉内压强为0.1Pa~1Pa的气压炉中,一维纳米材料与氨硼烷的质量比为1﹕0.1~10;二、向气压炉内充入高纯氮气,至气压炉炉内压强为0.1MPa~2.5MPa;三、将气压炉炉内的温度以5℃/min~30℃/min的升温速度升至700℃~1600℃,再在700℃~1600℃的条件下保温0.5h~4h,然后冷却至室温,即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |