| 发明名称 | 监测膜厚均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种监测膜厚均匀性的方法，包括如下步骤：第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。本发明可以监测薄膜在硅片中心位置和硅片边缘位置的厚薄差异、以及具体的膜厚差值，工程技术人员可以据此判定所形成的薄膜是否合格，并采取相应的处理方式。 | ||
| 申请公布号 | CN101930938A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200910057470.0 | 申请日期 | 2009.06.25 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 孙玲玲 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 陈履忠 |
| 主权项 | 一种监测膜厚均匀性的方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在一个硅片的薄膜上，取硅片中心位置的一个或多个测量点测量膜厚，取硅片边缘位置的一个或多个测量点测量膜厚；第2步，将硅片中心位置一个或多个测量点的膜厚平均值减去硅片边缘位置一个或多个测量点的膜厚平均值，得到一个具有正负的差值；第3步，当所述差值在预设的正常范围内，则判定所述薄膜膜厚的中心边缘差合格；否则即判定所述薄膜膜厚的中心边缘差不合格。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||