一种制备碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备碳化硅薄膜的方法，包括：1)衬底预备；2)衬底清洗；3)腔体抽真空，达到真空预定值后加热；4)加热到预定温度，通入反应气体；5)调整工作气压，打开射频电源，开始反应；6)反应完毕，腔体内持续抽真空，直至温度低于预定温度。利用本发明，通过采用等离子体辅助低温制备的方法，保证腔体具有高本低真空度，使薄膜的结晶化程度提高，同时减少薄膜杂质和缺陷的产生，大大提高了薄膜的力学性能，解决了制备碳化硅薄膜的面积小、温度高、缺陷密度大、杂质多、黏附性差、制作难的问题。

主权项

一种制备碳化硅薄膜的方法，其特征在于，包括：1)衬底预备；2)衬底清洗；3)腔体抽真空，达到真空预定值后加热；4)加热到预定温度，通入反应气体；5)调整工作气压，打开射频电源，开始反应；6)反应完毕，腔体内持续抽真空，直至温度低于预定温度。