| 发明名称 | 二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种二极管，其包括P/N型衬底；形成于P/N型衬底顶表面中心区域的N+/P+层；形成于P/N型衬底的顶表面以及N+/P+层顶表面部分区域的第一P+/N+层，第一P+/N+层与P/N型衬底和N+/P+层分别邻接；形成于第一P+/N+层以及N+/P+层顶表面的氧化物掩膜；形成于氧化物掩膜上的引线孔；形成于引线孔以及氧化物掩膜顶表面的正面金属电极以及形成于所述P/N型衬底底表面的背面金属电极。本发明相应提供一种制造上述二极管的方法。借此，本发明改善了二极管的动态参数(如反向恢复时间)，更加适用于开关电路中功率开关三极管BE极之间反向并接二极管的结构，其能提高开关电路工作的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101931010A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN201010208844.7 | 申请日期 | 2010.06.24 |
| 申请人 | 深圳市鹏微科技有限公司 | 发明人 | 陈永晚;杨晓智;邵士成;李建球 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 黄韧敏 |
| 主权项 | 一种二极管，其包括P/N型衬底以及形成于所述P/N型衬底顶表面中心区域的N+/P+层，其特征在于，所述二极管还包括：形成于所述P/N型衬底的顶表面以及所述N+/P+层顶表面部分区域的第一P+/N+层，所述第一P+/N+层与所述P/N型衬底和所述N+/P+层分别邻接；形成于所述第一P+/N+层以及所述N+/P+层顶表面的氧化物掩膜；以及形成于所述氧化物掩膜上的引线孔，所述引线孔与所述N+/P+层相对应。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区彩田路5015号中银大厦A座10楼DE单元 | ||