一种可重写无机薄膜电存储器件及其制备方法

摘要

本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜-无机功能介质层-铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得的络合物薄膜。本发明采用化学工艺学方法，利用金属固体和溶液进行的界面化学反应来制作薄膜器件中的功能介质层。采用本发明方法制备的薄膜器件具有非常稳定的可逆电双稳特性，高阻态和低阻态的阻值比为103～105，“写-读-擦-读”循环可达到数千次以上。本发明提出的可重写无机薄膜器件，其结构和制作工艺简单，有实际应用价值。

主权项

一种可重写无机薄膜电存储器件的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)选取一种硫氰酸盐，溶于去离子水中配制成相应的水溶液，溶液浓度为10 1～10 5摩尔/升，备用；(2)以洁净的载玻片为基底，采用一掩膜，在基板上沿X轴方向沉积线条状的铬膜，铬膜厚度为5～20纳米，然后再沉积线条状的铜膜作为底电极，铜膜厚度为150～300纳米，备用；(3)将铜底电极浸入到硫氰酸盐的溶液中，浸泡0.5～24小时；(4)将铜底电极样品从溶液中取出，用大量去离子水洗涤，晾干；(5)将铜底电极样品置于烘箱中，在80～120℃下烘0.5～3小时，然后冷至室温；(6)采用一掩膜，沿Y轴方向蒸镀线条状的铝膜作为顶电极，铝膜厚度为80 150纳米；X轴方向线条状的铜膜与Y方向线条状的铝膜交叉重叠，每一个交叉点就是一个存储单元，每一个交叉重叠部分的面积就是一个存储单元的尺寸。