| 发明名称 | 边缘接触型垂直碳纳米管晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于基于碳纳米管的场效应晶体管的垂直器件几何结构，该结构具有形成在沟槽中的一个或多个碳纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN101933125A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200880123544.X | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 伊特蒙塔公司 | 发明人 | 布赖恩·亨特;詹姆斯·哈特曼;迈克尔·J·布洛尼科维斯基;埃里克·王;布赖恩·Y·林 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤;南霆 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成第二电极层；在所述第一电极层和第二电极层之间形成第一绝缘层；形成延伸到所述第一电极层、第二电极层和第一绝缘层中的沟槽；以及形成从所述第一电极延伸到所述第二电极的第一碳纳米管，其中所述第一碳纳米管与所述第一电极和第二电极电接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||