| 发明名称 | 修复离子注入后氧化推进形成的衬底高低差的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种修复离子注入后氧化推进形成的衬底高低差的方法，包括如下步骤：1)在硅表面依次淀积缓冲氧化膜和氮化膜；2)采用光刻工艺定义出注入区和非注入区，以光刻胶为掩膜刻蚀去除注入区的氮化膜；3)离子注入并进行注入后的氧化推进工艺，在注入区表面生成氧化硅，同时形成埋层或深阱；4)去除所述注入区硅表面的氧化硅；5)采用选择性外延生长工艺，在注入区表面外延生长硅，使外延生长后注入区的硅平面与非注入区的硅平面一致；6)最后去除所述氮化膜和缓冲氧化膜。采用本发明的方法，修复了埋层或阱区注入氧化推进后形成的衬底高低差。 | ||
| 申请公布号 | CN101930910A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200910057452.2 | 申请日期 | 2009.06.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 程晓华;邓镭;方精训 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种修复离子注入后氧化推进形成的衬底高低差的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅表面依次淀积缓冲氧化膜和氮化膜；2)采用光刻工艺定义出注入区和非注入区，以光刻胶为掩膜刻蚀去除注入区的氮化膜；3)离子注入并进行注入后的氧化推进工艺，在注入区表面生成氧化硅，同时形成埋层或深阱；4)去除所述注入区硅表面的氧化硅；5)采用选择性外延生长工艺，在注入区表面外延生长硅，使外延生长后注入区的硅平面与非注入区的硅平面一致；6)最后去除所述氮化膜和缓冲氧化膜。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||