制造平板基体的方法

摘要

为了避免PECVD反应器的金属内表面影响沉积在大表面基体(15)上的μc-Si层(19)的厚度均匀性和质量均匀性，在单次处理每个基体之前用介电层(13)预涂布至少部分所述壁。

主权项

一种制造平板基体的方法，所述基体大小至少2500cm2，且具有在真空反应器中用PECVD法沉积的Si层，所述真空反应器具有基体载体第一电极及与之相隔一段空间的气体倾注第二电极，所述方法包括：a)在所述电极之间的反应空间中产生RF等离子体放电；b)使介电预涂层沉积在所述反应器的至少部分内表面上；c)将一个基体引入所述反应器内；d)使介电层沉积在所述基体的表面上；e)用PECVD使所述Si层沉积在所述介电层上；f)重复步骤b)至e)以制造每个单一基体，由此使所述Si层沉积成为μc Si层，其中步骤b)包括沉积所述介电预涂层，所述介电预涂层有效厚度d是：200nm≤d≤500nm。