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一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法，其步骤包括：(1)对单晶硅片进行清洗，得到干净的硅片；(2)采用低压化学气相淀积工艺、等离子增强化学气相淀积工艺或热生长工艺，在上述硅片上制备厚度为1～2μm的二氧化硅层；(3)采用低压化学气相沉积或等离子增强化学气相淀积工艺，在上述二氧化硅层上淀积厚度为0.5～1μm的氮化硅层；(4)采用湿化学法或反应离子刻蚀法，刻蚀上述硅片背面，得到腐蚀窗口；(5)采用湿化学法，刻蚀上述腐蚀窗口，得到硅微桥；(6)在上述氮化硅层上，沉积Pt/Ti电极，并采用剥离工艺刻蚀下电极图形；(7)在上述电极图形上印刷厚膜浆料，再放平，烘干，预烧，然后在700～1000℃下退火10～60分钟，得到无铅压电厚膜；其具体过程为：先按1～7％的质量比在无铅压电粉体中掺入助烧剂得到固相粉体；然后选用甲基纤维素、乙基纤维素或PVB作为粘合剂，选用松油醇作为溶剂，将粘合剂与溶剂按质量比为3∶100～9∶100配料，得到有机混合物；再将上述固相粉体与有机混合物按质量比15∶10～90∶10混合，碾磨成浆料；最后在上述浆料中按100∶0.5～100∶3的质量比加入增塑剂混合再次碾磨后倒入球磨罐进行球磨，增塑剂为聚乙二醇或邻苯二甲酸二丁酯；(8)对无铅压电厚膜进行化学机械抛光处理；(9)利用真空蒸发或真空直流溅射法，在上述无铅压电厚膜上制备Au电极，作为上电极；(10)湿法刻蚀上电极图形；(11)采用反应离子刻蚀、等离子刻蚀或化学辅助离子刻蚀工艺，刻蚀去掉硅微桥的一端，得到微悬梁。 |
