蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。该发光二极管的外延结构由下至上依次为蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP电流扩展及欧姆接触层、AlGaInP过渡层和下限制层、多量子阱AlGaInP有源区、AlGaInP上限制层和GaP电流扩展层。其制备方法是在蓝宝石衬底上依次逐层生长各外延层。本发明使用蓝宝石作为外延生长衬底，并使用磷化镓作为缓冲层，由于蓝宝石和磷化镓材料对黄色至红色波段是透明的，因此不存在衬底光吸收问题，通过磷化镓缓冲层可以抑制蓝宝石衬底和AlGaInP材料之间晶格失配和热膨胀系数失配导致的材料生长缺陷，从而可以大大提高发光二极管的光输出能力。

主权项

一种蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片，其特征是：其外延结构由下至上依次为蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP电流扩展及欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、多量子阱AlGaInP有源区、AlGaInP上限制层和GaP电流扩展层，GaP电流扩展及欧姆接触层以及AlGaInP过渡和下限制层为第一导电类型而AlGaInP上限制层和GaP电流扩展层为第二导电类型。