发明名称 |
降低辐射损伤影响的二极管设计 |
摘要 |
本发明涉及一种用于X射线应用的光电探测器(16),其包括在每个像素位置处的光电二极管(34,64),其被选通来降低来自该光电二极管的电荷泄漏。门电路层(36)可以被布置在该探测器整个周边边缘的周围,并被保持在与接触层(38)共同的或不同的电势。钝化层或介电层(56)将该门电路层与该光电二极管分离。该门电路层降低由在辐射中的延伸暴露引起的二极管边缘周围的泄漏。 |
申请公布号 |
CN101030590B |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN200610063958.0 |
申请日期 |
2006.12.15 |
申请人 |
通用电气检查技术有限合伙人公司 |
发明人 |
S·S·泽拉基维茨;S·伯格达诺维奇;A·J·库图尔;D·阿尔巴格利;W·A·亨尼西 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张雪梅;魏军 |
主权项 |
一种光电探测器(16),所述光电探测器由基底(50)上的像素阵列(22)形成并由闪烁器覆盖,每个像素包括:光电二极管(34,64),配置成接收光子,并响应所述接收的光子耗尽存储的电荷;和门电路层(36),至少围绕所述光电二极管的边缘的一部分,所述门电路层限制所述光电二极管的接触之间的电荷泄漏。 |
地址 |
美国宾夕法尼亚州 |