抗蚀图增厚材料、抗蚀图及其形成工艺以及半导体器件及其制造工艺

摘要

抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。

主权项

一种适用于水溶液中的抗蚀图增厚材料，包含：树脂；交联剂；和具有环状结构的化合物，该具有环状结构的化合物从芳香族化合物、脂环化合物和杂环化合物中选择，其中，该抗蚀图增厚材料被施加用来覆盖要增厚的抗蚀图的表面，并且其中，芳香族化合物从下面这些中选择：聚苯酚化合物、萘二醇、萘三醇、苯甲酮化合物、类黄酮化合物，以及它们的衍生物和配糖物；脂环化合物从下面这些中选择：聚环烷、环烷、类固醇，以及它们的衍生物和配糖物；以及，杂环化合物从下面这些中选择：吡咯烷、吡啶、咪唑、恶唑、吗啉、呋喃、吡喃、多糖。